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根據(jù)品牌的不同,所采用的芯片亦有所區(qū)別,具體的識別辦法是:

主要含義:

第1位——芯片功能K,代表是內(nèi)存芯片。

第2位——芯片類型4,代表DRAM。

第3位——芯片的更進一步的類型說明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率,也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。

第6、7位——數(shù)據(jù)線引腳個數(shù),08代表8位數(shù)據(jù);16代表16位數(shù)據(jù);32代表32位數(shù)據(jù);64代表64位數(shù)據(jù)。

第11位——連線"-"。

第14、15位——芯片的速率,如60為6ns;70為 7ns;7B為7.5ns (CL=3);7C為7.5ns (CL=2) ;80為 8ns;10 為10ns (66MHz)。

知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義,拿到一個內(nèi)存條后就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內(nèi)存,使用16片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位"28"代表該顆粒是128Mbits,第6、7位"08"代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬,這樣我們可以計算出該內(nèi)存條的容量是128Mbits(兆數(shù)位) × 16片/8bits=256MB(兆字節(jié))。

注:"bit"為"數(shù)位","B"即字節(jié)"byte",一個字節(jié)為8位則計算時除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計算,文中所舉的例子中有兩種情況:一種是非ECC內(nèi)存,每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存;另一種ECC內(nèi)存,在每64位數(shù)據(jù)之后,還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼,可以檢測出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯誤,糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中,不計算校驗位,具有ECC功能的18片顆粒的內(nèi)存條實際容量按16乘。在購買時也可以據(jù)此判定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ECC內(nèi)存。

Hynix(Hyundai)現(xiàn)代

現(xiàn)代內(nèi)存的含義:

HY5DV641622AT-36

HY XX X XX XX XX X X X X X XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

1、HY代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品

2、內(nèi)存芯片類型:(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM);

3、工作電壓:空白=5V,V=3.3V,U=2.5V

4、芯片容量和刷新速率:16=16Mbits、4K Ref;64=64Mbits、8K Ref;65=64Mbits、4K Ref;128=128Mbits、8K Ref;129=128Mbits、4K Ref;256=256Mbits、16K Ref;257=256Mbits、8K Ref

5、代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬:40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位

6、BANK數(shù)量:1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank,是2的冪次關(guān)系

7、I/O界面:1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2

8、芯片內(nèi)核版本:可以為空白或A、B、C、D等字母,越往后代表內(nèi)核越新

9、代表功耗:L=低功耗芯片,空白=普通芯片

10、內(nèi)存芯片封裝形式:JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-Ⅱ,TD=13mm TSOP-Ⅱ,TG=16mm TSOP-Ⅱ

11、工作速度:55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、 K :DDR266A

I

nfineon(億恒)

Infineon(億恒)

Infineon是德國西門子的一個分公司,目前國內(nèi)市場上西門子的子公司Infineon生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有兩種容量:容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。Infineon的內(nèi)存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內(nèi)存顆粒型號比較少,辨別也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits,"128"標識的是該顆粒的容量,后三位標識的是該內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度。其它也是如此,如:HYB39S128800即128MB/8bits;HYB39S128160即128MB/16bits;HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon內(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最后加一短線,然后標上工作速率。

-7.5——表示該內(nèi)存的工作頻率是133MHz;

-8——表示該內(nèi)存的工作頻率是100MHz。

例如:

1條Kingston的內(nèi)存條,采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計算為: 128Mbits(兆數(shù)位)×16片/8=256MB(兆字節(jié))。

1條Ramaxel的內(nèi)存條,采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計算為: 128Mbits(兆數(shù)位) × 8 片/8=128MB(兆字節(jié))。

KINGMAX、kti

KINGMAX內(nèi)存的說明

Kingmax內(nèi)存都是采用TinyBGA封裝(Tiny ball grid array)。并且該封裝模式是專利產(chǎn)品,所以我們看到采用Kingmax顆粒制作的內(nèi)存條全是該廠自己生產(chǎn)。Kingmax內(nèi)存顆粒有兩種容量:64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內(nèi)存顆粒型號列表出來。

容量備注:

KSVA44T4A0A——64Mbits,16M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度;

KSV884T4A0A——64Mbits,8M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度;

KSV244T4XXX——128Mbits,32M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度;

KSV684T4XXX——128Mbits,16M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度;

KSV864T4XXX——128Mbits,8M 地址空間 × 16位數(shù)據(jù)寬度。

Kingmax內(nèi)存的工作速率有四種狀態(tài),是在型號后用短線符號隔開標識內(nèi)存的工作速率:

-7A——PC133 /CL=2;

-7——PC133 /CL=3;

-8A——PC100/ CL=2;

-8——PC100 /CL=3。

例如一條Kingmax內(nèi)存條,采用16片KSV884T4A0A-7A 的內(nèi)存顆粒制造,其容量計算為: 64Mbits(兆數(shù)位)×16片/8=128MB(兆字節(jié))。

Micron(美光)

Micron(美光)

以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內(nèi)存的編碼規(guī)則。

含義:

MT——Micron的廠商名稱。

48——內(nèi)存的類型。48代表SDRAM;46 代表DDR。

LC——供電電壓。LC代表3V;C 代表5V;V 代表2.5V。

16M8——內(nèi)存顆粒容量為128Mbits,計算方法是:16M(地址)×8位數(shù)據(jù)寬度。

A2——內(nèi)存內(nèi)核版本號。

TG——封裝方式,TG即TSOP封裝。

-75——內(nèi)存工作速率,-75即133MHz;-65即150MHz。

實例:一條Micron DDR內(nèi)存條,采用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒制造。該內(nèi)存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數(shù)片內(nèi)存顆粒。

其容量計算為:容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB(兆字節(jié))。

Winbond(華邦)

含義說明:

W XX XX XX XX

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1、W代表內(nèi)存顆粒是由Winbond生產(chǎn)

2、代表顯存類型:98為SDRAM,94為DDR RAM?

3、代表顆粒的版本號:常見的版本號為B和H;

4、代表封裝,H為TSOP封裝,B為BGA封裝,D為LQFP封裝

5、工作頻率:0:10ns、100MHz;8:8ns、125MHz;Z:7.5ns、133MHz;Y:6.7ns、150MHz;6:6ns、166MHz;5:5ns、200MHz