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瓷片電容

瓷片電容(ceramic capacitor)是一種用陶瓷材料作介質(zhì),在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜,再經(jīng)高溫燒結后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為回路、旁路電容器及墊整電容器。
瓷片電容
分類
瓷片電容分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器,用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用,或?qū)Ψ(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中,因為它們易于被脈沖電壓擊穿。

按瓷介電容電介質(zhì)又分:1類電介質(zhì)(NP0,C0G),2類電介質(zhì)(X7R,2X1)和3類電介質(zhì)(Y5V,2F4)瓷介電容器。EIA RS-198。

優(yōu)缺點
優(yōu)點:穩(wěn)定,絕緣性好,耐高壓

缺點:容量比較小

作用
MLCC(1類)-微型化,高頻化,超低損耗,低ESR,高穩(wěn)定,高耐壓,高絕緣,高可靠,無極性,低容值,低成本,耐高溫.主要應用于高頻電路中.

MLCC(2類)-微型化,高比容,中高壓,無極性,高可靠,耐高溫,低ESR,低成本.主要應用于中,低頻電路中作隔直,耦合,旁路和濾波等電容器使用。

高壓
高壓瓷片電容就是以陶瓷材料為介質(zhì)的圓板電容器,在"瓷片"電容器中一般DC50v以下叫低壓,DC100V~500V為中高壓,DC1000v~6000v和為高壓,安規(guī)Y電容也是屬于高壓,DC6000v以上為超高壓 。

高壓瓷片電容作用具有耐磨直流高壓的特點,適用于高壓旁路和耦合電路中,其中的低耗損高壓圓片具有較低的介質(zhì)損耗,特別適合在電視接收機和掃描等電路中使用。

識別
瓷片電容的識別方法:電容的識別方法與電阻的識別方法基本相同,分直標法、色標法和數(shù)標法3種。電容的基本單位用法拉(F)表示,其它單位還有:毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、納法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=1000毫法(mF),1毫法=1000微法(μF),1微法=1000納法 (nF),1納法=1000皮法(pF)

容量大的電容其容量值在電容上直接標明,如10 μF/16V

容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示

字母表示法:1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF

數(shù)字表示法:三位數(shù)字的表示法也稱電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標稱容量的有效數(shù)字,第三位數(shù)字表示有效數(shù)字后面零的個數(shù),它們的單位都是pF。

如:102表示標稱容量為1000pF。

221表示標稱容量為220pF。

224表示標稱容量為22x10(4)pF。

在這種表示法中有一個特殊情況,就是當?shù)谌粩?shù)字用"9"表示時,是用有效數(shù)字乘上10的-1次方來表示容量大小。

如:229表示標稱容量為22x(10-1)pF=2.2pF。

允許誤差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%

如:一瓷片電容為104J表示容量為0.1 μF、誤差為±5%

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