HBM 負責人Kim Gwi-wook近日在官方公告中聲稱當前業(yè)界HBM技術(shù)已經(jīng)到了新的水平,行業(yè)需求促使SK海力士將加速開發(fā)過程,最早在 2026 年推出他們的 HBM4E 內(nèi)存,相關(guān)內(nèi)存帶寬將是HBM4的1.4倍。

除了HBM4E外,據(jù)IT之家此前報道,有消息稱 SK 海力士計劃在2025年下半年推出采用12層DRAM堆疊的首批HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊HBM稍晚于2026年推出。

HBM4 / HBM4E的開發(fā)“加速過程”無疑顯示了AI領(lǐng)域巨頭對高性能內(nèi)存的強勁需求,日益強大的 AI 處理器需要更高內(nèi)存帶寬的輔助。

【版權(quán)聲明】秉承互聯(lián)網(wǎng)開放、包容的精神，萬通商務(wù)網(wǎng)歡迎各方(自)媒體、機構(gòu)轉(zhuǎn)載、引用我們原創(chuàng)內(nèi)容，但要嚴格注明來源萬通商務(wù)網(wǎng)；同時，我們倡導尊重與保護知識產(chǎn)權(quán)，如發(fā)現(xiàn)本站文章存在版權(quán)問題，煩請將版權(quán)疑問、授權(quán)證明、版權(quán)證明、聯(lián)系方式等，發(fā)郵件至770276607@qq.com，我們將第一時間核實、處理。
部分資訊信息轉(zhuǎn)載網(wǎng)絡(luò)或會員自己投稿發(fā)布，如果有侵犯作者權(quán)力，請聯(lián)系我們刪除處理，聯(lián)系QQ：770276607