半導體激光電源

半導體激光器的核心是PN結(jié)一旦被擊穿或諧振腔面部分遭到破壞,則無法產(chǎn)生非平衡載流子和輻射復合,視其破壞程度而表現(xiàn)為激光器輸出降低或失效。
造成LD損壞的原因主要為腔面污染和浪涌擊穿。腔面污染可通過凈化工作環(huán)境來解決,而更多的損壞緣于浪涌擊穿。浪涌會產(chǎn)生半導體激光器PN結(jié)損傷或擊穿,其產(chǎn)生原因是多方面的,包括:①電源開關瞬間電流;②電網(wǎng)中其它用電裝備起停機;③雷電;④強的靜電場等。實際工作環(huán)境下的高壓、靜電、浪涌沖擊等因素將造成LD的損壞或使用壽命縮短,因此必須采取措施加以防護。
傳統(tǒng)激光器電源是用純硬件電路實現(xiàn)的,采用模擬控制方式,雖然也能較好的驅(qū)動激光,但無法實現(xiàn)精確控制,在很多工業(yè)應用中降低了精度和自動化程度,也限制了激光的應用。使用單片機對激光電源進行控制,能簡化激光電源的硬件結(jié)構,有效地解決半導體激光器工作的準確、穩(wěn)定和可靠性等問題。隨著大規(guī)模集成電路技術的迅速發(fā)展,采用適合LD的芯片可使電源可靠性得到極大提高。
考慮到實際應用情況,如電源體積、輸出電流大小、特別是瞬態(tài)響應,我們選用ONSEMI公司的低壓差大電流集成可調(diào)穩(wěn)壓芯片NCP5662,它的瞬態(tài)響應比同類穩(wěn)壓器要快,建立時間1-3us,可承受電流值達2A,具有內(nèi)部電流限制和熱保護功能等,其功能框圖如圖3所示。 圖3顯示的是其穩(wěn)壓工作的情況,根據(jù)前面敘述的原理,對該集成電路進行擴展以將其設計成為一個穩(wěn)定度很高的恒流源,幾種擴展方法中,實驗證明比較合理的工作方式如圖4所示。先不考慮圖中虛框內(nèi)的電路,當加電之后,電路開始工作,進入穩(wěn)態(tài)時,由于集成電路內(nèi)部的反饋作用,R11兩端的電壓始終保持在0.9V,所以,R7兩端的電壓始保持在 ,故流過R7兩端的電流Is由下式確定: 因此,改變R3、R11、R7可以靈活的調(diào)整輸出電流的值。按照圖4中各元件的取值,通過計算得到Is=2A,此恒定電流將流過激光二極管到地,由于 NCP5662內(nèi)部的比較器具有很高的放大倍數(shù),因此,電流的穩(wěn)定度非常的好。另外,從R11和NCP5662的GND端流出到負載的電流小于4mA,與2A相比影響很小。圖中C8的作用為改善電源的瞬態(tài)響應特性。
主要實現(xiàn)電流源驅(qū)動及保護、光功率反饋控制、恒溫控制、錯誤報警及鍵盤顯示等功能,整個系統(tǒng)由單片機控制。本系統(tǒng)中選用了C8051F單片機。C8051F單片機是完全集成的混合信號系統(tǒng)級芯片(SOC),他在一個芯片內(nèi)集成了構成一個單片機數(shù)據(jù)采集或控制系統(tǒng)所需要的幾乎所有模擬和數(shù)字外設及其他功能部件,如本系統(tǒng)中用到的ADC和DAC。
這些外設部件的高度集成為設計小體積、低功耗、高可靠性、高性能的單片機應用系統(tǒng)提供了方便,也大大降低了系統(tǒng)的成本。光功率及溫度采樣模擬信號經(jīng)放大后由單片機內(nèi)部A/D轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,進行運算處理,反饋控制信號經(jīng)內(nèi)部D/A轉(zhuǎn)換后再分別送往激光器電流源電路和溫控電路,形成光功率和溫度的閉環(huán)控制。
光功率設定從目前,凡是高精密的恒流源,大多數(shù)都使用了集成運算放大器。其基本原理是通過負反作用,使加到比較放大器兩個輸入端的電壓相等,從而保持輸出電流恒定。并且影響恒流源輸出電流穩(wěn)定性的因素可歸納為兩部分:一是構成恒流源的內(nèi)部因素,包括:基準電壓、采樣電阻、放大器增益(包括調(diào)整環(huán)節(jié))、零點漂移和噪聲電壓;二是恒流源所處的外部因素,包括:輸入電源電壓、負載電阻和環(huán)境溫度的變化。
半導體激光器往往會因為接在同一電網(wǎng)上的多種電器的突然開啟或者關閉而受到損壞,這主要是由于開關的閉合和開啟的瞬間會產(chǎn)生一個很大的沖擊電流,就是該電流致使半導體激光器損壞,介于這種情況,必須加以克服。因此,驅(qū)動電源的輸入應該設計成慢啟動電路,以防損壞,左邊輸入端接穩(wěn)壓后的直流電壓,右邊為輸出端。整個電路的結(jié)構可看作是在射級輸出器上添加了兩個Ⅱ型濾波網(wǎng)絡,分別由L1,C1,C2和L2,C6,C7組成。電容C5構成的C型濾波網(wǎng)絡及一個時間延遲網(wǎng)絡。慢啟動輸入電壓V在開關和閉合的瞬間產(chǎn)生大量的高頻成分,經(jīng)過圖中的兩個Ⅱ型網(wǎng)絡濾出大部分的高頻分量,直流以及低頻分量則可以順利地經(jīng)過。到達電阻R和C組成的時間延遲網(wǎng)絡,C2和C4并聯(lián)是為了減少電解電容對高頻分量的電感效應。
半導體和化學管道標記
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